LiAlO2 substrat

LiAlO2-substratet refererer til et substrat lavet af lithiumaluminiumoxid (LiAlO2).LiAlO2 er en krystallinsk forbindelse, der tilhører rumgruppen R3m og har en trekantet krystalstruktur.

LiAlO2-substrater er blevet brugt i en række applikationer, herunder tyndfilmvækst, epitaksiale lag og heterostrukturer til elektroniske, optoelektroniske og fotoniske enheder.På grund af dets fremragende fysiske og kemiske egenskaber er det særligt velegnet til udvikling af halvlederenheder med brede båndgab.

En af de vigtigste anvendelser af LiAlO2-substrater er inden for Gallium Nitride (GaN)-baserede enheder, såsom High Electron Mobility Transistors (HEMT'er) og Light Emitting Diodes (LED'er).Gittermismatchet mellem LiAlO2 og GaN er relativt lille, hvilket gør det til et egnet substrat til epitaksial vækst af GaN tynde film.LiAlO2-substratet giver en skabelon af høj kvalitet til GaN-aflejring, hvilket resulterer i forbedret enhedsydelse og pålidelighed.

LiAlO2-substrater bruges også på andre områder, såsom vækst af ferroelektriske materialer til hukommelsesenheder, udvikling af piezoelektriske enheder og fremstilling af solid-state batterier.Deres unikke egenskaber, såsom høj varmeledningsevne, god mekanisk stabilitet og lav dielektrisk konstant, giver dem fordele i disse applikationer.

Sammenfattende refererer LiAlO2-substrat til et substrat lavet af lithiumaluminiumoxid.LiAlO2-substrater bruges i forskellige applikationer, især til vækst af GaN-baserede enheder og udvikling af andre elektroniske, optoelektroniske og fotoniske enheder.De har ønskværdige fysiske og kemiske egenskaber, der gør dem egnede til afsætning af tynde film og heterostrukturer og forbedrer enhedens ydeevne.